5. CONSIDERAÇÕES FINAIS Desde que a primeira célula solar de silício foi relatada em 1941 [Ohl,1941], com eficiência inferior a 1%, houve melhorias substanciais no desempenho da célula solar de silício, culminando no valor de 26,7%.
Conforme observado anteriormente, as células fotovoltaicas tradicionais de silício são constituídas de semicondutores dopados positiva e negativamente, formando as conhecidas junções P-N. Essas junções, conforme ilustrado na Figura 3, são separadas por uma região de depleção que surge devido à recombinação de elétrons e lacunas.
Embora as medições de eficiência da célula solar historicamente dependessem bastante do laboratório, as melhorias nas abordagens de calibração e o aumento das comparações interlaboratoriais reduziram essas diferenças no início da década de 1990.
Contato (eletrodo) metálico inferior (terminal positivo). Uma célula solar fotovoltaica é, em geral, uma junção entre dois semicondutores P-N cuja função é absorver os fótons que atingem sua superfície e transformá-los em corrente elétrica (FAHRENBRUCH e BUBE, 1983).
Os dois tipos mais utilizados são os da primeira geração, e o mais antigo é o que ainda tem a maior eficiência. O silício monocristalino é composto de uma única fatia de silício, a malha é uniforme, portanto os elétrons têm muito espaço para fluir.
O silício monocristalino é composto de uma única fatia de silício, a malha é uniforme, portanto os elétrons têm muito espaço para fluir. Enquanto o silício multicristalino é composto de vários pedaços de silício, a malha não é uniforme, o movimento dos elétrons é dificultado por estruturas irregulares da malha.
Células solares finas de silício. A maioria dos painéis solares é feita com uma camada fotoativa de silício cristalino (c-Si) com uma espessura entre 160 e 170 micrômetros
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Quando emparelhado com silício microcristalino em células solares de junção e tripla, no entanto, maior eficiência pode ser obtida do que com células solares de junção única.Esta montagem em conjunto de células solares permite obter um material de película fina com um bandgap de cerca de 1,12 eV (o mesmo que o silício monocristalino) em comparação com o bandgap de silício
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No entanto, espera-se que a falta de conscientização, normas governamentais rigorosas em relação às emissões e o alto investimento inicial atuem como as principais limitações para o crescimento de células de silício cristalino no período previsto acima mencionado, enquanto a baixa eficiência de desempenho e a presença de alternativas podem desafiar o Crescimento
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