5. CONSIDERAÇÕES FINAIS Desde que a primeira célula solar de silício foi relatada em 1941 [Ohl,1941], com eficiência inferior a 1%, houve melhorias substanciais no desempenho da célula solar de silício, culminando no valor de 26,7%.
Além disso, simularam o impacto de diferentes parâmetros da lâmina de silício na eficiência da célula solar n-PERT-RJ: resistividade, tempo de vida dos portadores de carga minoritários e espessura. Verificaram que para resistividade de base entre 1-13 Ω.cm obtêm-se eficiências similares com o processo proposto.
Neste contexto, as células solares de silício com emissor e face posterior passivada (PERC - passivated emitter and rear cell) estão ganhando espaço na produção em massa de dispositivos fotovoltaicos e devem ser predominantes nos próximos anos.
Conforme observado anteriormente, as células fotovoltaicas tradicionais de silício são constituídas de semicondutores dopados positiva e negativamente, formando as conhecidas junções P-N. Essas junções, conforme ilustrado na Figura 3, são separadas por uma região de depleção que surge devido à recombinação de elétrons e lacunas.
TECNOLOGIAS DE PRODUÇÃO DO SILÍCIO O silício não existe na natureza no estado elementar, mas sob a forma de silicatos e óxidos. Existem técnicas de produção de silício a partir de fontes gasosas e sólidas, as de maior destaque são Deposição Química à Vapor e Crescimento Czochralski, respectivamente.
Como célula inferior da estrutura tandem, a célula solar TOPCon alcançou eficiência de ~9% sob uma irradiância filtrada pela célula perovskita. Considerando que a célula perovskita semitransparente atingiu a eficiência de 17,8%, a eficiência das duas células solares combinadas foi de 26,7%.
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A partir da situação geral do desenvolvimento da indústria fotovoltaica nos últimos anos, com o avanço da tecnologia de extração de cristal monocristalino e a industrialização da tecnologia de corte de fio de diamante, O custo das pastilhas de silício monocristalino aumentou significativamente e o declínio levou a um rápido aumento da participação de mercado dos
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O PECVD é uma deposição química de vapor aumentada por plasma. É o princípio técnico de baixa temperatura plasma é usado como fonte de energia, a amostra sobre a descarga incandescente catódico sob baixa pressão, usando as amostras de aquecimento de descarga incandescente até uma temperatura predeterminada, e depois passar para o gás de reação
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The organic solar cell (OSC) is a promising emerging low-cost thin film photovoltaics technology. The power conversion efficiency (PCE) of OSCs has overpassed 16% for single junction and 17% for
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silício cristalino. O silício amorfo distingue-se do silício cristalino por não possuir esse arranjo periódico dos seus átomos. O silício amorfo puro é um material que em princípio apresenta
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